這個(gè)問(wèn)題說(shuō)簡(jiǎn)單也簡(jiǎn)單,說(shuō)不簡(jiǎn)單它也比較考驗一個(gè)工程師的基礎扎實(shí)不扎實(shí)。這里面有些技術(shù)細節還是比較容易被忽視的。
這里我們不必牽扯到太多的磁芯材質(zhì)本身及制造上的問(wèn)題,關(guān)鍵看應用上的細節區別,畢竟我們是應用工程。
可能會(huì )有些網(wǎng)友認為只要兩者的材質(zhì),體積等參數一樣,處理功率能力一樣應該是可以互換的使用的。但是,實(shí)際上不是這樣的,兩者的機構決定了其在EMC方面的表現是不一樣的。
我們先來(lái)看一下EE型磁芯的反激變壓器結構(為節省時(shí)間,就用畫(huà)圖隨手涂鴉一下,將就著(zhù)看吧):
眾所周知,Flyback拓撲變壓器是需要在中柱開(kāi)氣隙的,如上圖所示。磁芯開(kāi)氣隙后,顯然邊緣漏磁通會(huì )增大,假設磁通如黃色所示。搞過(guò)EMC的應該都知道漏磁通的威力,此處不必多言。
然而,EE型磁芯有天生的優(yōu)勢,因為其氣隙在中柱中間,氣隙外層有厚厚的繞組屏蔽。由于繞組自身的屏蔽作用,漏磁通輻射到外部空間的可能大大降低。
下面我們看一下EI磁芯的結構:
如上圖可知,EI磁芯的氣隙要加載E片和I片的接觸位置,即氣隙位于邊緣處。這樣一來(lái),繞組本身所起的屏蔽作用就大打折扣,甚至無(wú)能為力。
從兩張圖來(lái)看,這兩種結構在EMC方面的表現就不言而喻了吧。
因此,本人設計電源時(shí)都避免選用氣隙會(huì )開(kāi)在邊緣處的磁芯型號